RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
52
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2260
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link