RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
52
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2260
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link