RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2870
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link