Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 32
    Rund um 22% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 15.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 11.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 2854
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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