RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2854
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link