RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3310
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link