RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3310
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link