RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3758
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link