RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3758
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link