RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
63
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2162
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link