RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2466
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link