Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Gesamtnote
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Unterschiede

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 34
    Rund um 26% geringere Latenzzeit
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.7 left arrow 16.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 10.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 10.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2764 left arrow 2789
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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