RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2774
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link