RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2774
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link