RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3128
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link