RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3128
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link