RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2310
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905403-199.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP512U64EP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link