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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
14.0
写入速度,GB/s
9.6
10.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2310
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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