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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
12.2
20.2
写入速度,GB/s
7.9
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
3876
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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