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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
46
45
读取速度,GB/s
12.2
11.9
写入速度,GB/s
7.9
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2077
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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