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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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