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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3784
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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