RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
43
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3063
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link