RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
2917
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link