RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3084
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link