RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3687
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link