RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
92
Rund um -207% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2732
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link