RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3423
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link