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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
19.3
写入速度,GB/s
9.6
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3423
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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