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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
11.4
22.4
写入速度,GB/s
7.4
20.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
4421
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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