RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
22.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
20.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
4421
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link