RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3187
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link