RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3392
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link