RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
71
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
1979
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link