RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3707
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link