RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3707
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link