Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gesamtnote
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Unterschiede

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 66
    Rund um 35% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.9 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 66
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 15.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2506 left arrow 1877
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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