Porównanie pamięci RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

43 66

Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 7.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.9 14.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 1877

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns