RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
99
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
1386
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link