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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
99
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
99
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1386
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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