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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Kllisre 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
46
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
2349
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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