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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
14.9
11.7
写入速度,GB/s
9.6
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2349
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
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Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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