RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3140
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5750CZ4-CE61 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link