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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
59
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3046
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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