Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.5
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 60
    Rund um -173% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.9 left arrow 2,168.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,595.2 left arrow 16.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 9.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    941 left arrow 2682
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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