Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

22 60

Por volta de -173% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.9 2,168.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 5300

Por volta de 3.62 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 2682

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns