RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
59
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2237
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link