RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
29
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3614
3034
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link