RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3232
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link