RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3232
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link